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產(chǎn)品特點(diǎn)：
束流大小：1pA～40nA，電子束駐留時(shí)間：≥20ns（視頻級(jí)成像）。
鏡筒內(nèi)置韋恩過濾器，確保鏡筒內(nèi)探測(cè)器接受效率。
透鏡系統(tǒng)：多級(jí)高性能透鏡系統(tǒng)，低像差錐形物鏡。
物鏡光闌：三孔光闌，可實(shí)現(xiàn)真空外二維雙軸微米級(jí)精細(xì)調(diào)節(jié)，保留手動(dòng)調(diào)節(jié)功能。
不少于14個(gè)可擴(kuò)展接口，可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多種探測(cè)器
技術(shù)指標(biāo)：
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分辨率 |
二次電子分辨率：0.8nm@15kV（SE），1.5nm@1kV（SE）， 背散射電子分辨率：2.5nm@30kV（BSE） |
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放大倍數(shù) |
底片放大倍率范圍≥1X-3000000X,光學(xué)放大≥100倍 |
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電子槍 |
肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍 |
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加速電壓 |
20V～30kV，連續(xù)可調(diào) |
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自動(dòng)調(diào)整功能 |
自動(dòng)對(duì)中、聚焦、亮度、對(duì)比度、消像散 |
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探測(cè)器 |
高真空二次電子探測(cè)器、背散射電子探測(cè)器、紅外CCD，束流測(cè)量裝置，光學(xué)導(dǎo)航 |
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真空系統(tǒng) |
一套濺射離子泵+一套吸氣劑離子復(fù)合泵，一套渦輪分子泵，一套機(jī)械泵；樣品室真空≤1E-4Pa，電子槍倉真空≤2E-7 Pa；全自動(dòng)真空控制，具有真空互鎖功能。 |
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樣品臺(tái) |
五軸全自動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái)，真空內(nèi)置電機(jī)， 樣品臺(tái)行程： X≥150mm, Y≥150mm, Z≥60mm， T≥-5°～+75°, R=360°。 |
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能譜儀 |
探測(cè)器：硅漂移探測(cè)器 有效晶體面積：30mm2 元素探測(cè)范圍：B(5) ~ Cf(98) 分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps 較大輸入計(jì)數(shù)率 >1,000,000cps 定量分析計(jì)數(shù)率 >100,000cps 1個(gè)探測(cè)器，2個(gè)圖像通道 圖像分辨率：最大8K（可調(diào)節(jié)） X射線掃描分辨率：最大8K 應(yīng)用定性及定量分析方法 具有圖譜采集功能 |
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濺射儀 |
離子濺射儀工作原理：磁控濺射 可選靶材：金，鉑，金鈀合金，鉛，銀，銅，鉻，銻等 全自動(dòng)操作，簡單易用，非常適用鎢燈絲、臺(tái)式掃描電鏡等 濺射電流自動(dòng)調(diào)整——設(shè)定濺射電流后，系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)節(jié)真空度，從而達(dá)到設(shè)定的濺射電流，調(diào)整時(shí)間＜5s，波動(dòng)范圍＜±5%； 無需按“實(shí)驗(yàn)”鍵調(diào)整濺射電流、無需操作“進(jìn)氣閥”。 真空室：φ128×100高硅硼玻璃 濺射時(shí)間自動(dòng)記憶——同類樣品一次設(shè)定即可； 參數(shù)改變自動(dòng)調(diào)整——濺射過程中可以隨時(shí)調(diào)整濺射電流和濺射時(shí)長，系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算疊加，無需終止濺射過程； 工作完成自動(dòng)放氣； 樣品臺(tái)高度調(diào)節(jié)1秒完成； 濺射過程可以利用曲線顯示，清晰直觀。 極限真空：小于1Pa 軟硬件互鎖，防誤操作，安全可靠 濺射電流高于50mA，停止濺射過程； 真空泵工作時(shí)，系統(tǒng)無法進(jìn)行放氣操作； 鍍層均勻，導(dǎo)電性良好 |
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探測(cè)器 |
樣品室提供可擴(kuò)展接口不少于14個(gè)，可以外接WDS、EDS、BSE、EBSD等多種附件和探測(cè)器。 樣品室內(nèi)二次電子探測(cè)器（ETD）（標(biāo)配）。 樣品室內(nèi)插入式背散射探測(cè)器（標(biāo)配）。 In-Column光電型探測(cè)器（標(biāo)配）。 In-Column半導(dǎo)體型探測(cè)器（標(biāo)配）。 |
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